文 | 霍文娟 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司

　　存儲器國產(chǎn)化過程中的知識產(chǎn)權(quán)風(fēng)險日益增加，構(gòu)建存儲器專利護城河對相關(guān)企業(yè)來講至關(guān)重要。企業(yè)可以從增加專利申請量、提高專利質(zhì)量、加強與代理機構(gòu)合作、關(guān)注國外巨頭專利信息、適當投入新型存儲器研發(fā)并申請相關(guān)專利幾方面著手，降低存儲器在國產(chǎn)化道路上的知識產(chǎn)權(quán)風(fēng)險，構(gòu)建企業(yè)專利護城河。

　　近年來，由于美國貿(mào)易政策改變和國內(nèi)產(chǎn)業(yè)升級，中美貿(mào)易沖突加劇，美國限制芯片出口的政策使得國內(nèi)部分企業(yè)陷入了缺芯之境。

　　2020年10月29日通過的“十四五”規(guī)劃聚焦“卡脖子”工程，《中國制造2025》中提到了包括先進存儲等在內(nèi)的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)。鑒于存儲器國產(chǎn)化道路上的知識產(chǎn)權(quán)風(fēng)險，本文從知識產(chǎn)權(quán)保護的角度切入存儲器領(lǐng)域，聚焦國內(nèi)存儲器行業(yè)，探討如何構(gòu)建存儲器的專利護城河。

　　一、存儲器的需求和發(fā)展過程

　　存儲器作為數(shù)據(jù)和程序存放的主要介質(zhì)單元，目前不僅應(yīng)用在各種計算機、服務(wù)器以及智能設(shè)備中，也應(yīng)用在磁盤陣列和各網(wǎng)絡(luò)存儲系統(tǒng)中。隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的快速深入發(fā)展，全球市場對于存儲器的需求也進一步擴大。

　　全球存儲器行業(yè)從1965年開始至今，可分為三個發(fā)展階段：第一階段（1965-1974年）為存儲器技術(shù)萌芽階段；第二階段（1975-2000年）為存儲器技術(shù)初步發(fā)展階段；第三階段（2001年至今）為存儲器技術(shù)快速發(fā)展階段。

　　美國在第一階段率先投入存儲器的研究。美國IBM企業(yè)最早投入到DRAM（Dynamic Random Access Memory，即動態(tài)隨機存取存儲器）產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域，DRAM作為最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，數(shù)據(jù)保持時間較短。1970年，美國IBM公司宣布其將在推出的大型system/370 Model145的主內(nèi)存上使用存儲新品代替磁芯。1971年，美國英特爾公司也研發(fā)出DRAM內(nèi)存。同年，英特爾的DO Frohman成功研發(fā)EPROM。

　　日本在第二階段也開始研究存儲器。1984年，東芝公司的研發(fā)人員首次提出閃存（Flash Memory）概念，并于1989年發(fā)布NAND Flash結(jié)構(gòu)。[1]當然，在此階段，美國也未停止研發(fā)存儲器的腳步，1988年，英特爾首先研發(fā)出NOR Flash技術(shù)。

　　第三階段即進入21世紀后，全球高科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，美日韓三國抓住了信息家電的需求特性，在全球范圍內(nèi)掀起了存儲器應(yīng)用的研發(fā)熱潮，且隨著科技的進步，存儲器產(chǎn)品的可靠性不斷提高。

　　二、國內(nèi)外存儲器的發(fā)展差異

　　由于性能優(yōu)異等諸多優(yōu)勢，DRAM與NAND Flash成為市場份額最大的兩種存儲器。其中，DRAM的市場主要被韓國三星、韓國SK海力士以及美國的美光所壟斷。NAND Flash的市場也主要由韓國三星、韓國SK海力士、美國西部數(shù)據(jù)、美國美光、美國英特爾以及日本鎧俠（原東芝儲存）等外國廠商占據(jù)。

　　隨著國內(nèi)智能終端技術(shù)的發(fā)展，中國已經(jīng)成為存儲器的主要銷售市場，存儲器銷售額占全球存儲器銷售額的一半以上，但上述存儲器幾乎全部依靠進口，自制率很低。并且由于存儲器被國外廠商高度壟斷，中國企業(yè)幾乎沒有議價能力。

　　隨著全球化進程的推進，國家信息安全越發(fā)重要，存儲器作為存儲信息的介質(zhì)，其重要性更是不言而喻，因此存儲器行業(yè)成為各個國家投資的重要方向。從2016年開始，相關(guān)機構(gòu)先后投資的涉存儲器技術(shù)企業(yè)包括長江存儲、長鑫存儲以及福建晉華等。其中，長江存儲主要致力于NAND Flash的研究，長鑫存儲和福建晉華主要致力于DRAM的研究。

　　目前，雖然我國的存儲器企業(yè)已經(jīng)奮起直追，但由于基礎(chǔ)比較薄弱，其存儲技術(shù)與國外相比仍然存在不小的差距。在NAND Flash領(lǐng)域，三星和海力士已研發(fā)出了176層的3D NAND Flash，長江存儲在2020年研發(fā)出了128層的3D NAND Flash。而在DRAM領(lǐng)域，三星已經(jīng)開始研發(fā)第四代10nm級的DRAM，長鑫存儲主要工藝為19nm工藝。

　　三、國內(nèi)存儲器企業(yè)的知識產(chǎn)權(quán)現(xiàn)狀

　　在實現(xiàn)存儲器國產(chǎn)化的道路上，其面臨的知識產(chǎn)權(quán)風(fēng)險逐漸增大。在DRAM領(lǐng)域，全球?qū)＠季忠呀?jīng)基本完成，主要以美國、韓國和日本為主導(dǎo)，相關(guān)技術(shù)的專利申請量已經(jīng)達到十萬余件。

　　反觀國內(nèi)，相關(guān)企業(yè)的專利布局較晚，專利申請量也較少。筆者檢索了長江存儲、長鑫存儲以及福建晉華近年來在國內(nèi)的專利申請情況后發(fā)現(xiàn)，長江存儲從2017年開始申請專利，在存儲器方面共申請了1800多件，[2]具體申請概況見圖1。

圖1 長江存儲、長鑫存儲、福建晉華總專利申請量

　　圖1顯示，上述企業(yè)在2017年申請了45件專利，2018年申請了228件，2019年申請了553件，2020年申請了778件，2021年申請了163件，由于2019-2021年的專利可能存在未公開情況，因此理論上其2019-2021年的申請量應(yīng)大于上述提及的數(shù)字。

　　通過檢索筆者發(fā)現(xiàn)，長江存儲不僅在閃存方面進行了專利布局，還在DRAM上進行了布局，具體為：2017年申請了1件專利，2018年申請了3件專利，2019年申請了10件專利，2020年申請了39件專利，2021年申請了12件專利?；谏鲜鐾瑯拥脑?，2019-2021年的申請量應(yīng)大于上述提及的數(shù)字，具體見圖2。

圖2 長江存儲在DRAM上的專利申請量

　　而長鑫存儲主要從2017年開始申請專利，具體情況見圖3。其2017年申請了25件專利，2017年申請了215件專利，2019年申請了158件專利，2020年申請了213件專利，2021年申請了15件專利。同樣地，由于2019-2021年的專利也存在未公開情況，因此，其2019-2021年的申請量應(yīng)大于上述提及的數(shù)字。

圖3 長鑫存儲專利申請量

　　福建晉華于2018年開始申請專利，具體情況如圖4所示，其2018年申請了24件專利，2019年申請了33件專利，2020年申請了78件專利，2021年申請了8件專利。同樣地，由于2019-2021年存在部分專利未公開情況，因此，2019-2021年的申請量應(yīng)大于上述提及的數(shù)字。

圖4 福建晉華專利申請量

　　由上述檢索結(jié)果可知，國內(nèi)企業(yè)在存儲器方面的專利數(shù)量加起來也只有數(shù)千件，從體量上遠遠落后于國外，且國外企業(yè)還掌握著無法繞開的核心專利。我國存儲領(lǐng)域的專利體量較小，難以與國外企業(yè)形成交叉許可，隨著技術(shù)越來越成熟，在產(chǎn)品逐漸推陳出新的過程中，我國企業(yè)面臨專利訴訟的風(fēng)險也越來越大。實際上，國內(nèi)的存儲器企業(yè)已經(jīng)歷過關(guān)聯(lián)訴訟，并且承擔了較為嚴重的后果。

　　四、構(gòu)建專利護城河的建議

　　為了更為順利地實現(xiàn)存儲器的國產(chǎn)化，攻克“卡脖子”領(lǐng)域，如何規(guī)避風(fēng)險、構(gòu)建專利護城河是我國相關(guān)企業(yè)應(yīng)當思考的問題。筆者認為可以從以下幾方面考慮：

　　第一，進一步增加專利申請量。在為自身產(chǎn)品保駕護航的同時，提高我國企業(yè)在存儲器領(lǐng)域的話語權(quán)，減少專利訴訟的風(fēng)險，增加與國外巨頭企業(yè)交叉許可的可能性。

　　當然，增加申請量并非為了增加數(shù)量而申請大量的垃圾專利，而是指在研發(fā)過程中，同步申請相關(guān)專利，盡量不放過任何技術(shù)上的改進。并且在實際的申請策略上，應(yīng)根據(jù)實際方案創(chuàng)造性的高低，合理布局不同類型的專利申請。

　　第二，重視專利文件的質(zhì)量，申請高質(zhì)量專利。高質(zhì)量專利不僅能夠提高專利價值，還可以提高專利的穩(wěn)定性，在專利的博弈中，產(chǎn)生重要且積極的作用。

　　具體地，由于高質(zhì)量的專利文件一般來講是由專利代理師撰寫，因此，對于企業(yè)的IP人員以及相關(guān)案件的發(fā)明人來說，在案件的處理過程中，發(fā)明人應(yīng)積極與代理師溝通，使代理師可以準確無誤地了解方案的發(fā)明點；同時，IP人員在審核過程中，也要從權(quán)利要求范圍、權(quán)利要求布局、權(quán)利要求條數(shù)、說明書篇幅以及說明書內(nèi)容等方面綜合審核對應(yīng)的文件，提高案件質(zhì)量。

　　第三，加強并深化與代理機構(gòu)的合作。企業(yè)IP部門可以多組織代理師進行技術(shù)領(lǐng)域培訓(xùn)，讓代理師不斷學(xué)習(xí)相關(guān)的技術(shù)知識，使其后續(xù)能夠更準確地了解擬申請方案的發(fā)明點等，從而更好地撰寫相關(guān)方案。

　　當然，企業(yè)也可以組織研發(fā)人員進行專利方面的培訓(xùn)，提高研發(fā)人員在專利方面的認知。具體地，可以邀請代理師進行聯(lián)合培訓(xùn)，也可以由企業(yè)內(nèi)部的IP人員進行培訓(xùn)，培訓(xùn)內(nèi)容包括技術(shù)交底書以及專利挖掘等方面，從而方便研發(fā)人員在研發(fā)過程中，順利開展相關(guān)專利申請工作。

　　第四，時刻關(guān)注國外巨頭的發(fā)展情況，適時申請相關(guān)專利。分析研究國外巨頭在重要技術(shù)上發(fā)布的專利文件，尋找規(guī)避以及優(yōu)化方案，并對應(yīng)申請專利，從而進一步降低訴訟風(fēng)險，提高交叉許可的可能性。

　　第五，適當投入新型存儲器的研發(fā)，并申請相關(guān)專利。隨著人工智能以及大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的發(fā)展，市場對存儲器的容量以及速度有著更高的需求，而現(xiàn)有主流的存儲器DRAM和NAND Flash難以滿足上述需求，新型的存儲器就應(yīng)運而生，目前主要為相變存儲器、阻變存儲器及磁阻存儲器。國外巨頭企業(yè)已經(jīng)在上述新型存儲器上投入了大量研究，因此，國內(nèi)企業(yè)也應(yīng)適當投入研發(fā)，減小在新型存儲器領(lǐng)域與國外巨頭的差距。

　　五、總結(jié)

　　存儲器的國產(chǎn)化并非一蹴而就，在產(chǎn)業(yè)發(fā)展的過程中，面對國際上的激烈競爭，不可避免地會面臨知識產(chǎn)權(quán)相關(guān)的法律風(fēng)險。為此，不僅要在國家層面倡導(dǎo)增加技術(shù)研發(fā)投入，攻克”卡脖子“工程，也需要企業(yè)在項目預(yù)警、專利布局、保護范圍和規(guī)避風(fēng)險等方面，與知識產(chǎn)權(quán)相關(guān)律師和代理師等法律專業(yè)人才共同努力，致力于構(gòu)建存儲器的知識產(chǎn)權(quán)護城河。

　　注釋：

　　[1] NAND Flash是Flash存儲器的一種，具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲。

　　[2] 截至目前共檢索到1800件，但由于有些專利未公開，因此實際申請數(shù)量應(yīng)該大于1800件。

　　參考文獻

　　[1]《2020年全球存儲器市場現(xiàn)狀情況分析》，http://www.ofweek.com/,2020年4月12日最后訪問。